IRFH7110TR2PBF

Hersteller-Teilenummer:	IRFH7110TR2PBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung:	MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Datenblätte:	IRFH7110TR2PBF.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	12921 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerIRFH7110TR2PBF
HerstellerInternational Rectifier (Infineon Technologies)
BeschreibungMOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus12921 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse8-PQFN (5x6)
SerieHEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)3.6W (Ta), 104W (Tc)
VerpackungOriginal-Reel®
Verpackung / Gehäuse8-TQFN Exposed Pad
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds3240pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Drain-Source-Spannung (Vdss)100V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C11A (Ta), 58A (Tc)
IRFH7110TR2PBF Einzelheiten PDF [English]IRFH7110TR2PBF PDF - EN.pdf

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