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Infineon Technologies
IRFH7110TR2PBF Image

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

IRFH7110TR2PBF

Hersteller-Teilenummer: IRFH7110TR2PBF
Hersteller / Marke: International Rectifier (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Datenblätte: IRFH7110TR2PBF.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 12921 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • ArtikelnummerIRFH7110TR2PBF
  • HerstellerInternational Rectifier (Infineon Technologies)
  • BeschreibungMOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
  • Teilstatus12921 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
  • TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse8-PQFN (5x6)
  • SerieHEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5 mOhm @ 35A, 10V
  • Verlustleistung (max)3.6W (Ta), 104W (Tc)
  • VerpackungOriginal-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse8-TQFN Exposed Pad
  • Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartSurface Mount
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds3240pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87nC @ 10V
  • Typ FETN-Channel
  • FET-Merkmal-
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)100V
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C11A (Ta), 58A (Tc)
  • IRFH7110TR2PBF Einzelheiten PDF [English]IRFH7110TR2PBF PDF - EN.pdf
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